Name: RJ1P10BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BATTL1TR-ND
Price: 6.33 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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RJ1P10BATTL1
N.º de producto de DigiKey	846-RJ1P10BATTL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RJ1P10BATTL1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RJ1P10BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RJ1P10BATTL1
Descripción	PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 105H (Tc) 201W (Tc) TO-263AB
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 385 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 16600 pF @ 50 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 201W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 105H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.9mOhm a 50A, 10V