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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IRFD121 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 2156-IRFD121-ND |
Fabricante | Harris Corporation |
Número de pieza del fabricante | IRFD121 |
Descripción | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 80 V 1.3A (Tc) 1W (Tc) 4-DIP, Hexdip |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 300mOhm a 600mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 450 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip | |
Paquete / Caja (carcasa) |
En stock: 0
No cancelable/No retornable
PRODUCTO DEL MERCADO
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