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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IRFD110 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 2156-IRFD110-ND |
Fabricante | Harris Corporation |
Número de pieza del fabricante | IRFD110 |
Descripción | 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 540mOhm a 600mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 180 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1.3W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 0
No cancelable/No retornable
PRODUCTO DEL MERCADO
Envíos desde Rochester Electronics, LLC
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