Name: FDMS4435BZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDMS4435BZ-ND
Price: 0.45 USD
Availability: InStock

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FDMS4435BZ
N.º de producto de DigiKey	2156-FDMS4435BZ-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDMS4435BZ
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2050 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN