Name: NP36P04SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND
Price: 2.52 USD
Availability: InStock

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NP36P04SDG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-NP36P04SDG-E1-AYCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-NP36P04SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP36P04SDG-E1-AY
Descripción	MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) TO-252 (MP-3ZK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP36P04SDG-E1-AY Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2800 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252 (MP-3ZK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NP36P04