Name: NVTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.8 USD
Availability: InStock

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NVTFS5116PLTWG
N.º de producto de DigiKey	NVTFS5116PLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVTFS5116PLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVTFS5116PLTWG
Descripción	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 6H (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVTFS5116PLTWG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1258 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6H (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 52mOhm a 7A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA	Número de producto base NVTFS5116