Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.24 USD
Availability: InStock

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NTTFS5116PLTWG
N.º de producto de DigiKey	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS5116PLTWG
Descripción	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTTFS5116PLTWG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1258 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS5