Name: NTR1P02LT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02LT1GOSTR-ND
Price: 0.39 USD
Availability: InStock

NTR1P02LT1G
N.º de producto de DigiKey	NTR1P02LT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTR1P02LT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTR1P02LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTR1P02LT1G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTR1P02LT1G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	220mOhm a 750mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.25V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.5 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	225 pF @ 5 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	NTR1P02

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3,000	$0.07647	$229.41
6,000	$0.06904	$414.24

NTR1P02LT1G