Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.01 USD
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
N.º de producto de DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTLJS2103PTBG
Descripción	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) 6-WDFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	µCool™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1157 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	NTLJS2103