NTJS3151PT2 onsemi | Productos de semiconductores discretos

NTJS3151PT2
N.º de producto de DigiKey	NTJS3151PT2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTJS3151PT2
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTJS3151PT2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	850 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base	NTJS31

NTJS3151PT2