NTHD3101FT1G onsemi | FET simple, MOSFET

NTHD3101FT1G
N.º de producto de DigiKey	NTHD3101FT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTHD3101FT1G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.2 A (Tj) 1.1W (Ta) ChipFET™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTHD3101FT1G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.2 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	680 pF @ 10 V
Característica de FET	Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ChipFET™
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Número de producto base	NTHD3101

NTHD3101FT1G