NDS356P onsemi | Productos de semiconductores discretos

NDS356P es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NDS356P
N.º de producto de DigiKey	NDS356PTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NDS356P
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	210mOhm a 1.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	NDS356