MCH3376-TL-E onsemi | Productos de semiconductores discretos

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MCH3376-TL-E
N.º de producto de DigiKey	MCH3376-TL-E-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	MCH3376-TL-E
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) 3-MCPH
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	MCH3376-TL-E Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	241mOhm a 750mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	120 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3-MCPH
Paquete / Caja (carcasa)	SC-70, SOT-323
Número de producto base	MCH3376