Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 1.29 USD
Availability: InStock

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FQD8P10TM
N.º de producto de DigiKey	FQD8P10TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD8P10TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD8P10TM
Descripción	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 470 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.6A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQD8P10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 530mOhm a 3.3A, 10V