Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 1.67 USD
Availability: InStock

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FQD11P06TM
N.º de producto de DigiKey	FQD11P06TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD11P06TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD11P06TM
Descripción	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQD11P06TM Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	185mOhm a 4.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	550 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD11P06