Canal P Montaje en superficie 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Canal P Montaje en superficie 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB34P10TM

N.º de producto de DigiKey
FQB34P10TMTR-ND - Cinta y rollo (TR)
FQB34P10TMCT-ND - Cinta cortada (CT)
FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FQB34P10TM
Descripción
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FQB34P10TM Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
QFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
33.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
60mOhm a 16.75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2910 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
FQB34P10
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En stock: 694
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.92000$3.92
10$2.57400$25.74
100$1.80700$180.70
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
800$1.40638$1,125.10
1,600$1.31900$2,110.40
Paquete estándar del fabricante
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