Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 2.93 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQB22P10TM
N.º de producto de DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB22P10TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB22P10TM
Descripción	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 22A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQB22P10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 11A, 10V