Canal P Montaje en superficie 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) 8-SOIC
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Canal P Montaje en superficie 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) 8-SOIC
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDFS2P103A

N.º de producto de DigiKey
FDFS2P103ATR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FDFS2P103A
Descripción
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FDFS2P103A Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
PowerTrench®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
5.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
59mOhm a 5.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
535 pF @ 15 V
Característica de FET
Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base
FDFS2
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Obsoleto
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