Name: FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658PTR-ND
Price: 1.3 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDC658P
N.º de producto de DigiKey	FDC658PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDC658PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDC658PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDC658P
Descripción	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) SuperSOT™-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDC658P Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 750 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.6W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FDC658
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 4A, 10V