Name: PMV164ENEAR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-8650-2-ND
Price: 0.41 USD
Availability: OutOfStock

PMV164ENEAR está sin stock y los pedidos pendientes no están actualmente disponibles.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Nexperia USA Inc.

En stock: 73

Precio por unidad : $0.40000

Similar

onsemi

En stock: 9,301

Precio por unidad : $0.42000

Similar

Panjit International Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.09114

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

PMV164ENEAR
N.º de producto de DigiKey	1727-8650-2-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-8650-1-ND - Cinta cortada (CT) 1727-8650-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV164ENEAR
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 1.6A (Ta) 640mW (Ta), 5.8W (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PMV164ENEAR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	218mOhm a 1.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	110 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	PMV164