Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT17J-TR-ND
Price: 9.61 USD
Availability: InStock

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G2R1000MT17J-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G2R1000MT17J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G2R1000MT17J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G2R1000MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G2R1000MT17J-TR
Descripción	1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	G2R™, LoRing™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	139 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA