Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 5.37 USD
Availability: OutOfStock

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S1M1000170J
N.º de producto de DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Cinta cortada (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	SMC Diode Solutions
Número de pieza del fabricante	S1M1000170J
Descripción	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 5.8H (Tc) 100W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 500µA
Fabricante SMC Diode Solutions	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10 nC @ 20 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +20V, -5V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 160 pF @ 1000 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1700 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.8H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.3Ohm a 2A, 20V