Name: IXTP12N65X2M
Brand: IXYS
SKU: IXTP12N65X2M-ND
Price: 2.13453 USD
Availability: OutOfStock

IXTP12N65X2M
N.º de producto de DigiKey	IXTP12N65X2M-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTP12N65X2M
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) TO-220, lengüeta aislada
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Ultra X2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	300mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220, lengüeta aislada
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Número de producto base	IXTP12

IXTP12N65X2M