Canal N Orificio pasante 600 V 11A (Tc) 53W (Tc) TO-220FM
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R6011KNX

N.º de producto de DigiKey
R6011KNX-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R6011KNX
Descripción
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 11A (Tc) 53W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
R6011KNX Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
390mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
740 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
R6011
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