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TO-263-D2PAK
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TO-263-D2PAK
TO-263-D2PAK

IXFA18N65X2

N.º de producto de DigiKey
238-IXFA18N65X2-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFA18N65X2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
200mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1520 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IXFA18
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Cantidad
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