Name: SPP24N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPP24N60C3XKSA1-ND
Price: 5.34 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) PG-TO220-3

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SPP24N60C3XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-SPP24N60C3XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPP24N60C3XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPP24N60C3XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 1.2mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000 pF @ 25 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 240W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24.3A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SPP24N60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 15.4A, 10V

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Documentos y medios

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Sustitutos (9)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPP60R180C7XKSA1	Infineon Technologies	37	IPP60R180C7XKSA1-ND	$3.64000	MFR recomendado
FCP165N60E	onsemi	1,034	488-FCP165N60E-ND	$5.20000	Directo
FCP170N60	onsemi	790	FCP170N60-ND	$7.15000	Directo
SIHP28N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP28N65EF-GE3-ND	$3.57434	Directo
FCP190N65F	onsemi	569	FCP190N65F-ND	$5.58000	Similar

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