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SIHP28N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP28N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP28N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP28N65EF-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 146 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3249 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 117mOhm a 14A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | $6.64000 | Similar |
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND | $6.18000 | Similar |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 1,351 | IPP60R099CPXKSA1-ND | $7.87000 | Similar |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15561-5-ND | $6.53000 | Similar |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25E60XS1X-ND | $6.68000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.57434 | $3,574.34 |






