Name: SPA07N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPA07N60C3XKSA1-ND
Price: 2.91 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 7.3H (Tc) 32W (Tc) PG-TO220-3-31

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SPA07N60C3XKSA1
N.º de producto de DigiKey	SPA07N60C3XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPA07N60C3XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 7.3H (Tc) 32W (Tc) PG-TO220-3-31
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPA07N60C3XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790 pF @ 25 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 32W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-31
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7.3H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SPA07N60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 4.6A, 10V

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Sustitutos (15)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPA60R600P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P7XKSA1-ND	$1.97000	MFR recomendado
IPA60R600P6XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P6XKSA1-ND	$2.19000	Similar
STP10NK80ZFP	STMicroelectronics	809	497-5972-5-ND	$5.73000	Directo
R6007ENX	Rohm Semiconductor	490	R6007ENX-ND	$3.40000	Similar
R6009ENX	Rohm Semiconductor	183	R6009ENX-ND	$4.52000	Similar

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