



R6007ENX | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | R6007ENX-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | R6007ENX |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 7H (Tc) 40W (Tc) TO-220FM |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | R6007ENX Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V |
Embalaje Granel | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 390 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 40W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FM |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 620mOhm a 2.4A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | $1.67000 | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | $5.09000 | Similar |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | $2.69000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.40000 | $3.40 |
| 10 | $2.21300 | $22.13 |
| 100 | $1.53470 | $153.47 |
| 500 | $1.24474 | $622.37 |
| 1,000 | $1.15158 | $1,151.58 |
| 2,000 | $1.07327 | $2,146.54 |
| 5,000 | $0.99250 | $4,962.50 |

