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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SI4435DYPBF | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI4435DYPBF-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4435DYPBF |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 8A 8SO |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) 8-SO |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4435DYPBF Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Discontinuo en DigiKey | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 20mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2320 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2.5W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO | |
Paquete / Caja (carcasa) |
0 en stock
México