Name: IRL7472L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL7472L1TRPBFTR-ND
Price: 6.81 USD
Availability: InStock

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IRL7472L1TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL7472L1TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRL7472L1TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRL7472L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL7472L1TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 375H (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) L8 isométrico DirectFET™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRL7472L1TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 330 nC @ 4.5 V
Serie StrongIRFET™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20082 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor L8 isométrico DirectFET™
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 375H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) L8 isométrico DirectFET™
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IRL7472
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.59mOhm a 195A, 10V