IRFH7110TRPBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRFH7110TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH7110TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH7110TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13.5mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3240 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-TQFN