Name: IPW60R041P6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Price: 10.85 USD
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) PG-TO247-3

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPW60R041P6FKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW60R041P6FKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW60R041P6FKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	77.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	41mOhm a 35.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 2.96mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8180 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	481W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IPW60R041

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$10.85000	$10.85
30	$6.42833	$192.85
120	$5.45742	$654.89
510	$4.74637	$2,420.65
1,020	$4.68787	$4,781.63

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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