Name: IPW60R041C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R041C6FKSA1-ND
Price: 17.83 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 600 V 77.5H (Tc) 481W (Tc) PG-TO247-3-1

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IPW60R041C6FKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPW60R041C6FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW60R041C6FKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 77.5H (Tc) 481W (Tc) PG-TO247-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW60R041C6FKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 2.96mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 290 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6530 pF @ 10 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 481W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 77.5H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW60R041
Rds On (máx) @ Id, Vgs 41mOhm a 44.4A, 10V

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Sustitutos (10)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STY100NM60N	STMicroelectronics	507	497-13289-5-ND	$26.70000	Directo
FCH041N65EF-F155	onsemi	358	FCH041N65EF-F155OS-ND	$16.05000	Similar
FCH041N65F-F085	onsemi	282	FCH041N65F-F085-ND	$15.66000	Similar
R6061YNZ4C13	Rohm Semiconductor	583	846-R6061YNZ4C13-ND	$10.98000	Similar
R6077VNZ4C13	Rohm Semiconductor	1,083	846-R6077VNZ4C13-ND	$16.32000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$17.83000	$17.83
30	$10.87667	$326.30
120	$9.35308	$1,122.37
510	$8.23798	$4,201.37
1,020	$7.83145	$7,988.08

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