IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPP530N15N3GXKSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

Infineon Technologies

En stock: 1,000

Precio por unidad : $2.08000

Similar

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $3.06000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPP530N15N3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP530N15N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP530N15N3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP530N15N3GXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 35µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 887 pF @ 75 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 68W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Número de producto base IPP530
Rds On (máx) @ Id, Vgs 53mOhm a 18A, 10V