IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPP120N20NFDAKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP120N20NFDAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP120N20NFDAKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP120N20NFDAKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	84A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 84A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6650 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP120

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Cantidad

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$5.08000	$5.08
50	$2.11660	$105.83

Paquete estándar del fabricante

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