Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.42 USD
Availability: OutOfStock

IPP086N10N3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP086N10N3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP086N10N3GXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.6mOhm a 73A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 75µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3980 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP086

IPP086N10N3GXKSA1