Name: IPP028N08N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP028N08N3GXKSA1-ND
Price: 5.17 USD
Availability: OutOfStock

IPP028N08N3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP028N08N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP028N08N3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 100A (Tc) 300W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP028N08N3GXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.8mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14200 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP028

IPP028N08N3GXKSA1