Name: IPB180P04P4L02ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND
Price: 4.42 USD
Availability: InStock

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IPB180P04P4L02ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB180P04P4L02ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB180P04P4L02ATMA2
Descripción	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) PG-TO263-7-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB180P04P4L02ATMA2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 286 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +5V, -16V
Serie OptiMOS™ P2	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18700 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 180A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm a 100A, 10V	Número de producto base IPB180
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 410µA