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IPA60R299CPXKSA1

N.º de producto de DigiKey
IPA60R299CPXKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPA60R299CPXKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 11A (Tc) 33W (Tc) PG-TO220-3-31
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPA60R299CPXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
299mOhm a 6.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 440µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1100 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
IPA60R299
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Cantidad
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Tubo
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Paquete estándar del fabricante
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