Name: IAUCN08S7N045TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N045TATMA1TR-ND
Price: 2.95 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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IAUCN08S7N045TATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN08S7N045TATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN08S7N045TATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN08S7N045TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN08S7N045TATMA1
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 99A (Tj) 98W (Tc) PG-LHDSO-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUCN08S7N045TATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	99A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.54mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.2V a 36.5µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2376 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-LHDSO-10-1
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 10-LSOP (0.216", 5.48mm de ancho)