FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies | Módulos IGBT

IGBT Módulo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 650 V 70 A 205 W Montaje de chasis Módulo

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FS50R07W1E3B11ABOMA1
N.º de producto de DigiKey	FS50R07W1E3B11ABOMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FS50R07W1E3B11ABOMA1
Descripción	IGBT MODULE 650V 70A 205W MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Módulo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 650 V 70 A 205 W Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT Módulos IGBT	Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 1.9V a 15V, 50A
Fabricante Infineon Technologies	Corriente - Corte de colector (Máx.) 50 µA
Serie EasyPACK™	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce 3.1 nF @ 25 V
Embalaje Bandeja	Entrada Estándar
Estado de pieza Obsoleto	Termistor NTC Sí
Tipo IGBT Parada de campo de trinchera	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Inversor trifásico	Tipo de montaje Montaje de chasis
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 650 V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 70 A	Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
Potencia - Máx. 205 W	Número de producto base FS50R07

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