
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-FF6MR20W2M1HB70BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Descripción | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Plazo estándar del fabricante | 29 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 2000V (2kV) 160A (Tj) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 2000V (2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 160A (Tj) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 8.1mOhm a 160A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 112mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 780nC a 3V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 24100pF a 1200V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $226.79000 | $226.79 |
| 15 | $202.53333 | $3,038.00 |







