Name: BSS84IXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS84IXUSA1TR-ND
Price: 0.25 USD
Availability: InStock

BSS84IXUSA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSS84IXUSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSS84IXUSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSS84IXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS84IXUSA1
Descripción	BSS84IXUSA1
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 180mA (Ta), 290mA (Tc) 400mW (Ta), 960mW (Tc) PG-SOT23-3-U03
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS84IXUSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180mA (Ta), 290mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5Ohm a 180mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 11µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	780 pC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	23 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	400mW (Ta), 960mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT23-3-U03
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS84IXUSA1