GPIHV30SB5L GaNPower | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

GPIHV30SB5L
N.º de producto de DigiKey	4025-GPIHV30SB5L-ND
Fabricante	GaNPower
Número de pieza del fabricante	GPIHV30SB5L
Descripción	GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 30A Molde
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	GaNPower
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 3.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.25 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	236 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	Molde
Paquete / Caja (carcasa)	Molde