Name: GS0650306LLMRXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650306LLMRXUMA1TR-ND
Price: 9.63 USD
Availability: InStock

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GS0650306LLMRXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-GS0650306LLMRXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-GS0650306LLMRXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-GS0650306LLMRXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	GS0650306LLMRXUMA1
Descripción	GAN POWER TRANSISTOR
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 700 V 40A (Tc) TOLL
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	58mOhm a 5.5A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.7 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	235 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN