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Equivalente paramétrico


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Equivalente paramétrico


Rochester Electronics, LLC
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Hoja de datos
MOSFET - Arreglos 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Montaje en superficie 8-SOIC
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FQS4900TF

N.º de producto de DigiKey
FQS4900TFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
FQS4900TF
Descripción
MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
FQS4900TF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Canal N y P
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V, 300V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.3A, 300mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs
550mOhm a 650mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1.95V a 20mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.1nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
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