Canal P Montaje en superficie 20 V 6.7 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
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DI6A7P02SQ

N.º de producto de DigiKey
4878-DI6A7P02SQ-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante
DI6A7P02SQ
Descripción
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Plazo estándar del fabricante
10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 20 V 6.7 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
DI6A7P02SQ Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Diotec Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
6.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.7V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
40mOhm a 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
550mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1500 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
4,000$0.14910$596.40
Paquete estándar del fabricante