Name: ZXMN10A11GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A11GTR-ND
Price: 1.23 USD
Availability: InStock

ZXMN10A11GTA
N.º de producto de DigiKey	ZXMN10A11GTR-ND - Cinta y rollo (TR) ZXMN10A11GCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	ZXMN10A11GTA
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) SOT-223-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	350mOhm a 2.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	274 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	ZXMN10

ZXMN10A11GTA