Name: DMTH6004SCTB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6004SCTB-13DITR-ND
Price: 3.34 USD
Availability: InStock

DMTH6004SCTB-13
N.º de producto de DigiKey	DMTH6004SCTB-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMTH6004SCTB-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMTH6004SCTB-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH6004SCTB-13
Descripción	MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	95.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4556 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	DMTH6004

DMTH6004SCTB-13